对电容而言，小型化和高容量是永久稳定的成长趋向。此中，要数多层陶瓷电容的成长最快。 多层陶瓷电容在便携产物中的利用极其普遍，但最近几年来数字产物的手艺前进对其提出了新请求。比方手机请求更高的传输速率和更高的机能，基带处置器请求高速率、低电压。LCD模块请求低厚度、大容量电容。而汽国情况的刻薄性对多层陶瓷电容更特别的请求：起首是耐低温，安排于此中的多层陶瓷电容必须能知足150度的任务温度，其次是在电池电路上须要短路生效掩护设想。也便是说，小型化、高速率和高机能、耐低温前提、高靠得住性已成为陶瓷电容的关头特征。
     陶瓷电容的容量随直流偏电压的变更而变更。直流偏置电压下降了介电常数，是以须要从资料方面下降介电常数电压的依靠，优化直流偏置电压特征。利用中较为罕见的是X7R类多层陶瓷电容，它的容量首要集合在1000PF以上，该类电容器首要机能目标是等交串连电阻，在高涟漪电流的电源去耦、滤涉及低频旌旗灯号耦全电路的
低功耗表现比拟凸起。
     另外一类多层陶瓷电容是COG类，它的容量多在1000PF以下，该类电容器首要机能目标是消耗角正切值。传统的贵金属电极的COG产物DF值规模是（2.0-8.0）X 10-4，而手艺立异型贱金属电极的COG产物DF值规模为(1.0-2.5)X10-4,约是前者的31-50%。该类产物在载有T/R模块电路的GSM、CDMA、无绳德律风、蓝牙、GPS体系中低功耗特征较为明显。较多用于各类高频电路，如振荡/同步器、按时器电路等。